型号:

SIA910EDJ-T1-GE3

RoHS:无铅 / 符合
制造商:Vishay Siliconix描述:MOSFET N-CH 12V ESD SC-70-6
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 阵列
SIA910EDJ-T1-GE3 PDF
标准包装 3,000
系列 TrenchFET®
FET 型 2 个 N 沟道(双)
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 4.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 28 毫欧 @ 5.2A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 16nC @ 8V
输入电容 (Ciss) @ Vds 455pF @ 10V
功率 - 最大 7.8W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 PowerPAK? SC-70-6 双
供应商设备封装 PowerPAK? SC-70-6 双
包装 带卷 (TR)
其它名称 SIA910EDJ-T1-GE3TR
相关参数
27823 Wiha TOOL SCREWDRVR TORX ESD T8SZ
SIA517DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH D-S 12V SC-70-6
27817 Wiha TOOL SCREWDRVR TORX ESD T7SZ
SIA517DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH D-S 12V SC-70-6
FXO-HC538-13.5 Fox Electronics OSC 13.5 MHZ 3.3V HCMOS SMD
SIA517DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH D-S 12V SC-70-6
FXO-HC538-13.580625 Fox Electronics OSC 13.580625 MHZ 3.3V HCMOS SMD
FXO-HC538-16 Fox Electronics OSC 16 MHZ 3.3V HCMOS SMD
SI6968BEDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V ESD 8-TSSOP
FXO-HC538-19.2 Fox Electronics OSC 19.2 MHZ 3.3V HCMOS SMD
FXO-HC538-19.6608 Fox Electronics OSC 19.6608 MHZ 3.3V HCMOS SMD
SI6968BEDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V ESD 8-TSSOP
SI6968BEDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V ESD 8-TSSOP
FXO-HC538-20 Fox Electronics OSC 20 MHZ 3.3V HCMOS SMD
SIB914DK-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6
FXO-HC538-22 Fox Electronics OSC 22 MHZ 3.3V HCMOS SMD
FXO-HC538-24 Fox Electronics OSC 24 MHZ 3.3V HCMOS SMD
SIB914DK-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6
FXO-HC538-25 Fox Electronics OSC 25 MHZ 3.3V HCMOS SMD
SIB914DK-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6